Analiza deekscytacji stanów dwudziurowych w powłoce K

Ana­liza deek­scy­ta­cji sta­nów dwu­dziu­rowych w powłoce K., ze szcze­gól­nym uwzględ­nie­niem ener­gii i praw­do­po­do­bieństw przejść radia­cyj­nych dwu­elek­tro­no­wych TEOP (Two Elec­tron One Pho­ton) Kα_1,2α₃ oraz sze­ro­ko­ści tych linii wid­mo­wych.
Egzo­tyczne przej­ścia TEOP Kα_1,2α₃ (czyli 1s^–2→2s^-12p^-1) są przej­ściami o małej inten­syw­no­ści, pod­czas któ­rych stan dwu­dziu­rowy w powłoce K. jest zapeł­niany jed­no­cze­śnie przez dwa elek­trony z powłoki L (jeden z pod­pow­łoki 2 s i drugi z pod­pow­łoki 2 p), czemu towa­rzy­szy emi­sja tylko jed­nego fotonu. Inten­syw­ność oraz sze­ro­kość linii TEOP Kα_1,2α₃ można dokład­nie odtwo­rzyć uży­wa­jąc metody MCDHF-CI (wie­lo­kon­fi­gu­ra­cyjna metoda Dira­ca­–Har­tre­e–Focka z oddzia­ły­wa­niem kon­fi­gu­ra­cji), bio­rąc pod uwagę wpływ kore­la­cji elek­tro­no­wej (szcze­gól­nie wpły­wa­ją­cej na inten­syw­ność przejść TEOP), otwar­to­pow­ło­ko­wo­ści kon­fi­gu­ra­cji elek­tro­no­wej oraz pro­ce­sów joni­za­cji i wzbu­dza­nia powłok zewnętrz­nych w trak­cie podwój­nej foto­jo­ni­za­cji powłoki K.

Osoba prowadząca:
Dr Karol Kozioł